Eigenleitfähigkeit < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
|
| Status: |
(Frage) reagiert/warte auf Reaktion  | | Datum: | 09:51 So 23.10.2011 | | Autor: | aNd12121 |
| Aufgabe | Jedes wievielete Si-Atom ist bei T=25°C und bei T=100°C inonisiert?
(Atomdichte Si = [mm] nA=5*10^{22}cm^{-3}; [/mm] Zustandsdichte No = [mm] 3*10^{19}cm^{-3} [/mm] und Wg = 1,1eV |
Hallo,
ich weiß leider nicht wirklich wie ich an diese Aufgabe rangehen soll. Ich hab zum Beispiel folgende Formel.
ni = [mm] No*e^{\bruch{Wg}{2*k*T}}
[/mm]
Was genau gibt mir bei dieser Formel das k an? Es wäre nett wenn mir jemand be diese Aufgabe helfen könnte.
mit freundlichen Grüßen
|
|
| |
|
| Status: |
(Antwort) fertig  | | Datum: | 11:01 So 23.10.2011 | | Autor: | Infinit |
Hallo,
k ist die Boltzmann-Konstante und Du berechnest hier die Besetzungsdichte bei Silizium für einen bestimmten Zustand. Ich vermute,dass im Exponenten noch ein Minuszeichen fehlt. Nur anhand der Variablen kommt man hier nicht weiter, da die Variablennamen nicht eineindeutig benutzt werden. Sorry, aber da musst Du schon etwas genauer werden.
Viele Grüße,
Infinit
|
|
|
| |
|
| Status: |
(Frage) beantwortet  | | Datum: | 17:52 So 23.10.2011 | | Autor: | aNd12121 |
Naja die Frage ist so abgeschrieben, wie sie uns gegeben ist. Und die Formel selber:
T = Temperatur
Wg = Ist der Bandabstand
N0 die absolute Zustandsdichte
ni die Eigenleitungsdichte
Ich weiß aber auch nicht wirklich ob ich mit der Formel weiterkomme. Mag mir vllt jemand helfen wie ich sonst an die Aufgabe gehenkönnte?
|
|
|
| |
|
| Status: |
(Antwort) fertig | | Datum: | 14:04 Mo 24.10.2011 | | Autor: | leduart |
Hallo
Wenn du die Formel berichtigst kannst du sie einfach verwenden und eben am ende auf anteile von [mm] N_0 [/mm] umrechnen.
Gruss leduart
|
|
|
|
